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IRL3103D1S
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.037
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
?
––– R G = 3.4 ?, V GS =4.5V
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
1.0
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
210
20
0.014 V GS = 10V, I D = 34A ?
0.019 V GS = 4.5V, I D = 28A ?
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 34A ?
0.10 V DS = 30V, V GS = 0V
mA
22 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
100 V GS = 16V
nA
-100 V GS = -16V
43 I D = 32A
14 nC V DS = 24V
23 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ?
––– V DD = 15V
––– I D = 32A
ns
t f
Fall Time
–––
54
––– R D = 0.43 ?,
??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
C iss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Input Capacitance
–––
–––
–––
–––
1900
810
240
3500
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
––– V GS = 0V, V DS = 0V
Body Diode & Schottky Diode Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
integral reverse
I F (AV)
I SM
( Schottky)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
2.0
220
A
MOSFET symbol
showing the
G
p-n junction and Schottky diode.
D
S
V SD1
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 32A, V GS = 0V ?
V SD2
Diode Forward Voltage
––– –––
0.50 V T J = 25°C, I S = 1.0A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 51 77 ns T J = 25°C, I F = 32A
––– 49 73 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 10 )
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRL3103D1 data and test conditions
**
When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer
to application note #AN-994.
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